ATRON propose des services adaptés à la qualification de composants électronique en effectuant différentes analyses de données visant à identifier des défaillances éventuelles.
Les tests sous irradiation font partie de la panoplie de tests environnementaux dans les processus de qualification des composants électroniques notamment pour les applications aérospatiales, militaires, nucléaires ou de physique des hautes énergies.
Nos experts vous accompagnent dans les analyses de défaillance ou de modification de propriétés des composants électroniques ou des connectiques.
ATRON vous accompagne dans les défis technologiques autour de la sûreté des systèmes électroniques ou optiques embarqués.
Les systèmes embarqués dans les environnements hostiles ou inaccessibles obligent les utilisateurs à s’assurer de la parfaite fonctionnalité de l’équipement et de leur pérennité.
Nos études préalables complétées par des mesures sous irradiation s’intègrent dans l’appréciation de la fiabilité des produits en reconstituant l’ensemble des conditions d’exploitation.
ATRON vous conseille lors la conception et experimente les futures contraintes des processus opérationnels.
ATRON propose d’améliorer la performance de la conductivité d’un matériau en introduisant des particules dans la matrice des semi-conducteurs.
Le dopage consiste à apporter des éléments atomiques à une substance afin d'en modifier les propriétés de conductivité. Cette application intervient dans la réalisation de la plupart des composants électroniques, notamment les diodes, les transistors et les circuits intégrés.
Le silicium ainsi dopé, devient un semi-conducteur idéal en électronique pour des applications très spécifiques telles que le photovoltaïque, l’informatique ou les transports du futur.
L’utilisation d'un faisceau d’électrons permet de proposer une alternative au dopage par implantation ionique. La surface du semi-conducteur à traiter est couverte d'une couche contenant les particules à implanter et l'énergie du faisceau électronique permet leur migration dans le semi-conducteur.